Samsung анонсировала новый SSD 9100 PRO емкостью 8 ТБ

03.03.2025

Компания Samsung представила новую линейку твердотельных накопителей серии 9100 PRO, разработанную для обеспечения высокой емкости хранилища и производительности на основе технологии PCIe Gen5.

Серия 9100 PRO способна значительно улучшить производительность систем хранения данных. Построенный на базе PCIe Gen5 x4 и NVMe 2.0, новый SSD-накопитель обеспечивает потенциальную скорость последовательного чтения до 14 800 МБ/с и скорость записи до 13 400 МБ/с при любой емкости. Это почти в два раза выше скорости передачи данных, чем у его предшественника, и означает, что передача больших файлов, выполнение ресурсоемких вычислительных задач и время загрузки игр будут заметно быстрее.

Samsung анонсировала новый SSD 9100 PRO емкостью 8 ТБ

Samsung 9100 PRO SSD

 

Скорость произвольного чтения и записи также значительно увеличивается, достигая 2200 000 и 2600 000 операций ввода-вывода в секунду соответственно. Это существенно влияет на скорость реагирования, особенно для рабочих нагрузок, требующих быстрого доступа к небольшим файлам, таких как обработка искусственного интеллекта, редактирование видео и игры.
 
Серия 9100 PRO оснащена собственным 5-нм контроллером, который улучшает управление питанием, обеспечивая повышение энергоэффективности до 49% по сравнению с предыдущей моделью. Это особенно важно для пользователей, которым требуется высокая производительность без чрезмерного выделения тепла или потребления энергии.
 
Впервые в своей линейке потребительских твердотельных накопителей Samsung предлагает твердотельные накопители NVMe емкостью до 8 ТБ, что значительно увеличивает емкость. Это идеальное решение для профессионалов, работающих с медиафайлами высокого разрешения, контентом, созданным искусственным интеллектом, и большими наборами данных, где требования к хранению данных быстро возрастают.
 
 
Технические характеристики Samsung 9100 PRO SSD:
 
Интерфейс
PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
Форм-фактор
M.2 (2280) / M.2 (2280 с радиатором)
Аппаратное обеспечение
NAND
Samsung V NAND TLC (V8)
Контроллер
Внутренний контроллер
Кэш - память
1 ГБ LPDDR4X
2 ГБ LPDDR4X
4 ГБ LPDDR4X
8 ГБ LPDDR4X
Производительность
Скорость последовательного чтения/записи (МБ/с)
14,700 / 13,300
14,700 / 13,400
14,800 / 13,400
14,800 / 13,400
Скорость произвольного чтения/записи (IOPS, QD32)
1,850K / 2,600K
1,850K / 2,600K
2,200K / 2,600K
2,200K / 2,600K
Мощность
Активная (Чтение/Запись)
7.6W / 7.2W
8.1W / 7.9W
9.0W / 8.2W
TBD
Спящий режим (L1.2)
4.0mW / 3.3mW
4.8mW / 4.0mW
6.5mW / 5.7mW
TBD
Интеллектуальный TurboWrite 2.0
114 ГБ
22 6ГБ
442 ГБ
TBD
Шифрование данных
Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
Общее количество записанных байт (TBW)
600
1,200
2,400
4,800
Гарантия
5 лет ограниченной гарантии
 
 
Более подробную информацию о накопителях Samsung 9100 PRO SSD можно получить в нашем интернет-магазине Raidshop.ru 
 
 
Дополнительные материалы:
 



 

 


Получайте новости с raidshop на почту

Системы хранения данных RaidShop.ru © 2025
Данная информация не является публичной офертой, определяемой положениями статей 435,437 Гражданского Кодекса РФ