Производительность Последовательное чтение (в пределах) 3270 MB/s Последовательная запись (в пределах) 2100 MB/s Случайное чтение (участок 100%) 694000 IOPS Случайная запись (участок 100%) 228000 IOPS Задержка - чтение 79 µs Задержка - запись 34 µs Питание - активный режим Sequential Avg. 20.71 W (Write), 9.88 W (Read) Питание - режим простоя <5 W Надежность работы Вибрация - при работе 2.17 GRMS Вибрация - при хранении 3.13 GRMS Ударная нагрузка (при работе и при хранении) 50 G Trapezoidal, 170 in/s Диапазон рабочих температур 0°C to 55°C Рейтинг износоустойчивости (операции записи за все время эксплуатации) 21690 TBW Среднее время наработки на отказ 2 million hours Доля неустранимых битовых ошибок (UBER) <1 sector per 10^17 bits read Гарантийный период 5 yrs Спецификации корпуса Форм-фактор HHHL (CEM3.0) Interface PCIe NVMe 3.1 x4 Усовершенствованные технологии Расширенная защита от потери данных при отключении питания Да Аппаратное шифрование AES 256 bit High Endurance Technology Да Мониторинг и журналирование температуры Да Комплексная защита данных Да Технология Intel® Smart Response Нет Intel® Rapid Start Technology Нет Intel® Remote Secure Erase Нет