Western Digital и Toshiba представили 3D NAND флэш-память

Компании использовали технологию Bit Cost Scaling (BiCS), хотя не очень понятно её отличие от технологии V-NAND, разработанной Samsung. И в том, и в другом случае используется память с ловушкой заряда (в противоположность технологии плавающего затвора, которую использует только компания Micron).

Western Digital 3D NAND

Единственное отличие BiCS заключается в использовании других материалов при создании ячеек. Samsung V-NAND использует SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxygen-Silicon) – оксинитрид кремния. TANOS использует нитрид тантала (TaN), оксид алюминия (Al2O3), нитрид кремния (Si3N4), оксид кремния (SiO2) и чистый кремний (Si). Преимущества такого подхода, однако, не очень чётко обозначены; все фирмы, работающие с 3D NAND, молчат о каких-то особых преимуществах своих собственных подходов и технологий.

Полная коммерциализация BiCS станет существенным прорывом для Western Digital. Первый пилотный продукт с BiCS был анонсирован ещё в 2015 году, но так и не вышел в свет. Предположительно, BiCS поставлялась производителям оборудования в качестве комплектующего.

Новая память Western Digital ёмкостью 512 ГБ, несомненно, будет конкурировать с памятью, выпускаемой Samsung – 64-уровневой 3D NAND. 

Память Western Digital 3D NAND будет доступна во второй половине 2017 года, том числе и в нашем интернет-магазине Raidshop.ru